| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM10HM09FT3G |
| EBEE-Teilenummer | E817216253 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 139A 10mΩ@10V,69.5A 390W [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $392.2149 | $ 392.2149 |
| 200+ | $156.4974 | $ 31299.4800 |
| 500+ | $151.2674 | $ 75633.7000 |
| 1000+ | $148.6830 | $ 148683.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 4 N-channel | |
| Konfiguration | Half Bridge | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 139A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 10mΩ@10V,69.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 390W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | [email protected] | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 9.875nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 350nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $392.2149 | $ 392.2149 |
| 200+ | $156.4974 | $ 31299.4800 |
| 500+ | $151.2674 | $ 75633.7000 |
| 1000+ | $148.6830 | $ 148683.0000 |
