| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM100UM65DAG |
| EBEE-Teilenummer | E85554273 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1kV 145A 3.25kW 78mΩ@10V,72.5A 3V@20mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1,049.4867 | $ 1049.4867 |
| 200+ | $418.7519 | $ 83750.3800 |
| 500+ | $404.7589 | $ 202379.4500 |
| 1000+ | $397.8461 | $ 397846.1000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APTM100UM65DAG | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 1kV | |
| Dauerdr. | 145A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 78mΩ@10V,72.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 3.25kW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@20mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 28.5nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 1.068uC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1,049.4867 | $ 1049.4867 |
| 200+ | $418.7519 | $ 83750.3800 |
| 500+ | $404.7589 | $ 202379.4500 |
| 1000+ | $397.8461 | $ 397846.1000 |
