| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM100UM45FAG |
| EBEE-Teilenummer | E85554270 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1kV 215A 52mΩ@10V,107.5A 5kW 3V@30mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1,461.5871 | $ 1461.5871 |
| 200+ | $583.1829 | $ 116636.5800 |
| 500+ | $563.6955 | $ 281847.7500 |
| 1000+ | $554.0660 | $ 554066.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APTM100UM45FAG | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 1kV | |
| Dauerdr. | 215A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 52mΩ@10V,107.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 5kW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@30mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 42.7nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 1.602uC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1,461.5871 | $ 1461.5871 |
| 200+ | $583.1829 | $ 116636.5800 |
| 500+ | $563.6955 | $ 281847.7500 |
| 1000+ | $554.0660 | $ 554066.0000 |
