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Microchip Tech APTM100H45FT3G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM100H45FT3G |
| EBEE-Teilenummer | E817547533 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1kV 18A 540mΩ@10V,9A 357W [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $349.1828 | $ 349.1828 |
| 200+ | $139.3272 | $ 27865.4400 |
| 500+ | $134.6712 | $ 67335.6000 |
| 1000+ | $132.3702 | $ 132370.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Datenblatt | MICROCHIP APTM100H45FT3G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 4 N-channel | |
| Konfiguration | Half Bridge | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 1kV | |
| Dauerdr. | 18A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 540mΩ@10V,9A | |
| Stromableitung (Pd) | 357W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | [email protected] | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 4.35nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 154nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1+ | $349.1828 | $ 349.1828 |
| 200+ | $139.3272 | $ 27865.4400 |
| 500+ | $134.6712 | $ 67335.6000 |
| 1000+ | $132.3702 | $ 132370.2000 |
