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Microchip Tech APTM100H35FT3G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM100H35FT3G |
| EBEE-Teilenummer | E817426965 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1kV 22A 420mΩ@10V,11A 390W [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $372.9141 | $ 372.9141 |
| 200+ | $148.7960 | $ 29759.2000 |
| 500+ | $143.8230 | $ 71911.5000 |
| 1000+ | $141.3670 | $ 141367.0000 |
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 4 N-channel | |
| Konfiguration | Half Bridge | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 1kV | |
| Dauerdr. | 22A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 420mΩ@10V,11A | |
| Stromableitung (Pd) | 390W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | [email protected] | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 5.2nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 186nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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|---|---|---|
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| 500+ | $143.8230 | $ 71911.5000 |
| 1000+ | $141.3670 | $ 141367.0000 |
