| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM100H18FG |
| EBEE-Teilenummer | E817456942 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1kV 43A 210mΩ@10V,21.5A 780W 5V@5mA 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1,217.1195 | $ 1217.1195 |
| 200+ | $485.6394 | $ 97127.8800 |
| 500+ | $469.4103 | $ 234705.1500 |
| 1000+ | $461.3924 | $ 461392.4000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 4 N-channel | |
| Konfiguration | Half Bridge | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 1kV | |
| Dauerdr. | 43A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 210mΩ@10V,21.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 780W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 5V@5mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 10.4nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 372nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1,217.1195 | $ 1217.1195 |
| 200+ | $485.6394 | $ 97127.8800 |
| 500+ | $469.4103 | $ 234705.1500 |
| 1000+ | $461.3924 | $ 461392.4000 |
