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Microchip Tech APTM100DAM90G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM100DAM90G |
| EBEE-Teilenummer | E85569621 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1kV 78A 1.25kW 105mΩ@10V,39A 5V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $735.2730 | $ 735.2730 |
| 200+ | $293.3794 | $ 58675.8800 |
| 500+ | $283.5756 | $ 141787.8000 |
| 1000+ | $278.7311 | $ 278731.1000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APTM100DAM90G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 1kV | |
| Dauerdr. | 78A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 105mΩ@10V,39A | |
| Stromableitung (Pd) | 1.25kW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 5V@10mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 20.7nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 744nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $283.5756 | $ 141787.8000 |
| 1000+ | $278.7311 | $ 278731.1000 |
