| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM100A18FTG |
| EBEE-Teilenummer | E817274170 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1kV 43A 210mΩ@10V,21.5A 780W 5V@5mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $713.0860 | $ 713.0860 |
| 200+ | $284.5262 | $ 56905.2400 |
| 500+ | $275.0191 | $ 137509.5500 |
| 1000+ | $270.3212 | $ 270321.2000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 2 N-Channel | |
| Konfiguration | Half Bridge | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 1kV | |
| Dauerdr. | 43A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 210mΩ@10V,21.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 780W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 5V@5mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 10.4nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 372nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $713.0860 | $ 713.0860 |
| 200+ | $284.5262 | $ 56905.2400 |
| 500+ | $275.0191 | $ 137509.5500 |
| 1000+ | $270.3212 | $ 270321.2000 |
