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Microchip Tech APTM100A13DG
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM100A13DG |
| EBEE-Teilenummer | E817570354 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1kV 65A 1.25kW 156mΩ@10V,32.5A 5V@6mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $895.6047 | $ 895.6047 |
| 200+ | $357.3522 | $ 71470.4400 |
| 500+ | $345.4116 | $ 172705.8000 |
| 1000+ | $339.5101 | $ 339510.1000 |
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 2 N-Channel | |
| Konfiguration | Half Bridge | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 1kV | |
| Dauerdr. | 65A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 156mΩ@10V,32.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 1.25kW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 5V@6mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 15.2nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 562nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $345.4116 | $ 172705.8000 |
| 1000+ | $339.5101 | $ 339510.1000 |
