| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTC80H29T3G |
| EBEE-Teilenummer | E817496272 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 15A 290mΩ@10V,7.5A 156W 3.9V@1mA 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $190.9981 | $ 190.9981 |
| 200+ | $76.2105 | $ 15242.1000 |
| 500+ | $73.6638 | $ 36831.9000 |
| 1000+ | $72.4045 | $ 72404.5000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 4 N-channel | |
| Konfiguration | Half Bridge | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 800V | |
| Dauerdr. | 15A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 290mΩ@10V,7.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 156W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3.9V@1mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.254nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 90nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $190.9981 | $ 190.9981 |
| 200+ | $76.2105 | $ 15242.1000 |
| 500+ | $73.6638 | $ 36831.9000 |
| 1000+ | $72.4045 | $ 72404.5000 |
