| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTC80DDA15T3G |
| EBEE-Teilenummer | E86125230 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 28A 150mΩ@10V,14A 277W 3.9V@2mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $216.7959 | $ 216.7959 |
| 200+ | $86.5040 | $ 17300.8000 |
| 500+ | $83.6132 | $ 41806.6000 |
| 1000+ | $82.1842 | $ 82184.2000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APTC80DDA15T3G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 2 N-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 800V | |
| Dauerdr. | 28A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 150mΩ@10V,14A | |
| Stromableitung (Pd) | 277W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3.9V@2mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 4.507nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 180nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $216.7959 | $ 216.7959 |
| 200+ | $86.5040 | $ 17300.8000 |
| 500+ | $83.6132 | $ 41806.6000 |
| 1000+ | $82.1842 | $ 82184.2000 |
