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Microchip Tech APTC60HM35T3G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTC60HM35T3G |
| EBEE-Teilenummer | E817443630 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 72A 416W 35mΩ@10V,72A [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $329.6354 | $ 329.6354 |
| 200+ | $131.5271 | $ 26305.4200 |
| 500+ | $127.1324 | $ 63566.2000 |
| 1000+ | $124.9603 | $ 124960.3000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APTC60HM35T3G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 4 N-channel | |
| Konfiguration | Half Bridge | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 72A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 35mΩ@10V,72A | |
| Stromableitung (Pd) | 416W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | [email protected] | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 14nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 518nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $127.1324 | $ 63566.2000 |
| 1000+ | $124.9603 | $ 124960.3000 |
