| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTC60DAM18CTG |
| EBEE-Teilenummer | E87216514 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 143A 18mΩ@10V,71.5A 833W 3.9V@4mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $541.0042 | $ 541.0042 |
| 200+ | $215.8645 | $ 43172.9000 |
| 500+ | $208.6515 | $ 104325.7500 |
| 1000+ | $205.0877 | $ 205087.7000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APTC60DAM18CTG | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 143A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 18mΩ@10V,71.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 833W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3.9V@4mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 28nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 1.036uC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $541.0042 | $ 541.0042 |
| 200+ | $215.8645 | $ 43172.9000 |
| 500+ | $208.6515 | $ 104325.7500 |
| 1000+ | $205.0877 | $ 205087.7000 |
