| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTC60AM45T1G |
| EBEE-Teilenummer | E817581676 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 49A 250W 45mΩ@10V,24.5A 3.9V@3mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $214.2417 | $ 214.2417 |
| 200+ | $85.4842 | $ 17096.8400 |
| 500+ | $82.6275 | $ 41313.7500 |
| 1000+ | $81.2166 | $ 81216.6000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 2 N-Channel | |
| Konfiguration | Half Bridge | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 49A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 45mΩ@10V,24.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 250W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3.9V@3mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 7.2nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 150nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $214.2417 | $ 214.2417 |
| 200+ | $85.4842 | $ 17096.8400 |
| 500+ | $82.6275 | $ 41313.7500 |
| 1000+ | $81.2166 | $ 81216.6000 |
