| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APT80M60J |
| EBEE-Teilenummer | E85554224 |
| Gehäuse | SOT-227B-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 84A 960W 55mΩ@10V,60A 4V@5mA 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $174.6410 | $ 174.6410 |
| 200+ | $69.6829 | $ 13936.5800 |
| 500+ | $67.3547 | $ 33677.3500 |
| 1000+ | $66.2046 | $ 66204.6000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APT80M60J | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 84A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 55mΩ@10V,60A | |
| Stromableitung (Pd) | 960W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@5mA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 245pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 24nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 600nC@10V |
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $174.6410 | $ 174.6410 |
| 200+ | $69.6829 | $ 13936.5800 |
| 500+ | $67.3547 | $ 33677.3500 |
| 1000+ | $66.2046 | $ 66204.6000 |
