| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APT80F60J |
| EBEE-Teilenummer | E86125227 |
| Gehäuse | SOT-227B-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 84A 961W 55mΩ@10V,60A [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $188.9163 | $ 188.9163 |
| 200+ | $75.3794 | $ 15075.8800 |
| 500+ | $72.8596 | $ 36429.8000 |
| 1000+ | $71.6153 | $ 71615.3000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APT80F60J | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 84A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 55mΩ@10V,60A | |
| Stromableitung (Pd) | 961W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | [email protected] | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 245pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 23.994nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 598nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $188.9163 | $ 188.9163 |
| 200+ | $75.3794 | $ 15075.8800 |
| 500+ | $72.8596 | $ 36429.8000 |
| 1000+ | $71.6153 | $ 71615.3000 |
