| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APT53F80J |
| EBEE-Teilenummer | E85554206 |
| Gehäuse | SOT-227B-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 57A 110mΩ@10V,43A 960W 2.5V@5mA 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $172.6474 | $ 172.6474 |
| 200+ | $68.8882 | $ 13777.6400 |
| 500+ | $66.5863 | $ 33293.1500 |
| 1000+ | $65.4483 | $ 65448.3000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APT53F80J | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 800V | |
| Dauerdr. | 57A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 110mΩ@10V,43A | |
| Stromableitung (Pd) | 960W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.5V@5mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 17.55nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 570nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $172.6474 | $ 172.6474 |
| 200+ | $68.8882 | $ 13777.6400 |
| 500+ | $66.5863 | $ 33293.1500 |
| 1000+ | $65.4483 | $ 65448.3000 |
