| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APT32M80J |
| EBEE-Teilenummer | E85588972 |
| Gehäuse | SOT-227B-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 33A 543W 190mΩ@10V,24A [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $101.7169 | $ 101.7169 |
| 200+ | $40.5867 | $ 8117.3400 |
| 500+ | $39.2310 | $ 19615.5000 |
| 1000+ | $38.5602 | $ 38560.2000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APT32M80J | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 800V | |
| Dauerdr. | 33A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 190mΩ@10V,24A | |
| Stromableitung (Pd) | 543W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | [email protected] | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 159pF@800V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 9326pF@800V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 303nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $101.7169 | $ 101.7169 |
| 200+ | $40.5867 | $ 8117.3400 |
| 500+ | $39.2310 | $ 19615.5000 |
| 1000+ | $38.5602 | $ 38560.2000 |
