| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APT32F120J |
| EBEE-Teilenummer | E87077489 |
| Gehäuse | SOT-227B-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.2kV 33A 960W 320mΩ@10V,25A 4V@25A 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $168.4750 | $ 168.4750 |
| 200+ | $67.2235 | $ 13444.7000 |
| 500+ | $64.9771 | $ 32488.5500 |
| 1000+ | $63.8670 | $ 63867.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APT32F120J | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 1.2kV | |
| Dauerdr. | 33A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 320mΩ@10V,25A | |
| Stromableitung (Pd) | 960W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@25A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 215pF@1200V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 18200pF@1200V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 560nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $168.4750 | $ 168.4750 |
| 200+ | $67.2235 | $ 13444.7000 |
| 500+ | $64.9771 | $ 32488.5500 |
| 1000+ | $63.8670 | $ 63867.0000 |
