| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APT30M19JVR |
| EBEE-Teilenummer | E85554181 |
| Gehäuse | SOT-227B-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 300V 130A 19mΩ@10V,500mA 700W 4V@5mA 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $226.7776 | $ 226.7776 |
| 200+ | $90.4859 | $ 18097.1800 |
| 500+ | $87.4626 | $ 43731.3000 |
| 1000+ | $85.9691 | $ 85969.1000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APT30M19JVR | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 300V | |
| Dauerdr. | 130A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 19mΩ@10V,500mA | |
| Stromableitung (Pd) | 700W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@5mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 21.6nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 975nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $226.7776 | $ 226.7776 |
| 200+ | $90.4859 | $ 18097.1800 |
| 500+ | $87.4626 | $ 43731.3000 |
| 1000+ | $85.9691 | $ 85969.1000 |
