| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APT25M100J |
| EBEE-Teilenummer | E85554172 |
| Gehäuse | SOT-227B-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1kV 25A 330mΩ@10V,18A 545W [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $103.2695 | $ 103.2695 |
| 200+ | $41.2054 | $ 8241.0800 |
| 500+ | $39.8288 | $ 19914.4000 |
| 1000+ | $39.1491 | $ 39149.1000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APT25M100J | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 1kV | |
| Dauerdr. | 25A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 330mΩ@10V,18A | |
| Stromableitung (Pd) | 545W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | [email protected] | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 130pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 9.835nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 305nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $103.2695 | $ 103.2695 |
| 200+ | $41.2054 | $ 8241.0800 |
| 500+ | $39.8288 | $ 19914.4000 |
| 1000+ | $39.1491 | $ 39149.1000 |
