| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N7000-G |
| EBEE-Teilenummer | E8618559 |
| Gehäuse | TO-92-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 75mA 500mW 5Ω@10V,500mA 3V@1mA 1 N-channel TO-92-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3094 | $ 1.3094 |
| 10+ | $1.1180 | $ 11.1800 |
| 30+ | $1.0114 | $ 30.3420 |
| 100+ | $0.8923 | $ 89.2300 |
| 500+ | $0.8002 | $ 400.1000 |
| 1000+ | $0.7767 | $ 776.7000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP 2N7000-G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 60V | |
| Dauerdr. | 75mA | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 5Ω@10V,500mA | |
| Stromableitung (Pd) | 500mW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@1mA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 25pF@25V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3094 | $ 1.3094 |
| 10+ | $1.1180 | $ 11.1800 |
| 30+ | $1.0114 | $ 30.3420 |
| 100+ | $0.8923 | $ 89.2300 |
| 500+ | $0.8002 | $ 400.1000 |
| 1000+ | $0.7767 | $ 776.7000 |
