5% off
Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
MDD(Microdiode Semiconductor) MDD2N65D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MDD2N65D |
| EBEE-Teilenummer | E85299401 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 2A 35W 5.2Ω@10V,1A 4V@1A 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>50 Auf Lager für schnelle Lieferung
50 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1021 | $ 0.5105 |
| 50+ | $0.0806 | $ 4.0300 |
| 150+ | $0.0698 | $ 10.4700 |
| 500+ | $0.0617 | $ 30.8500 |
| 2500+ | $0.0525 | $ 131.2500 |
| 5000+ | $0.0493 | $ 246.5000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD2N65D | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 5.2Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 35W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 338pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10.2nC |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
50 Stock for Shipping Fast
50 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1021 | $ 0.5105 |
| 50+ | $0.0806 | $ 4.0300 |
| 150+ | $0.0698 | $ 10.4700 |
| 500+ | $0.0617 | $ 30.8500 |
| 2500+ | $0.0525 | $ 131.2500 |
| 5000+ | $0.0493 | $ 246.5000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
