| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRF7831TRPBF |
| EBEE-Teilenummer | E892306 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 21A 3.6mΩ@10V,20A 2.5W 2.35V@250uA 1 N-channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3528 | $ 1.3528 |
| 10+ | $1.1527 | $ 11.5270 |
| 30+ | $1.0432 | $ 31.2960 |
| 100+ | $0.9193 | $ 91.9300 |
| 500+ | $0.7367 | $ 368.3500 |
| 1000+ | $0.7113 | $ 711.3000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | Infineon IRF7831TRPBF | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 3.6mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.35V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 21A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.24nF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3528 | $ 1.3528 |
| 10+ | $1.1527 | $ 11.5270 |
| 30+ | $1.0432 | $ 31.2960 |
| 100+ | $0.9193 | $ 91.9300 |
| 500+ | $0.7367 | $ 368.3500 |
| 1000+ | $0.7113 | $ 711.3000 |
