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Infineon Technologies FP10R12W1T4
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FP10R12W1T4 |
| EBEE-Teilenummer | E8541162 |
| Gehäuse | Through Hole,62.8x33.8mm |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| Datenblatt | Infineon FP10R12W1T4 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃ | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 1.2kV | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | [email protected] | |
| Current - Collector(Ic) | 20A | |
| Pd - Power Dissipation | 105W | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 2.25V@10A,15V | |
| Td(off) | 180ns | |
| Td(on) | 45ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 0.024nF | |
| Switching Energy(Eoff) | 550uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 900uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 600pF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 300A |
Einkaufsleitfaden
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