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Infineon Technologies FF200R12KT4
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FF200R12KT4 |
| EBEE-Teilenummer | E8541002 |
| Gehäuse | Screw Terminals |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.1kW 320A 1.2kV IGBT module IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| Datenblatt | Infineon FF200R12KT4 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃ | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 1.2kV | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | [email protected] | |
| Current - Collector(Ic) | 320A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1kW | |
| IGBT Type | IGBT Module | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.75V@200A,15V | |
| Td(off) | - | |
| Td(on) | 160ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | - | |
| Switching Energy(Eoff) | 14mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 10mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.4nF@25V |
Einkaufsleitfaden
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