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onsemi NXH25C120L2C2SG


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXH25C120L2C2SG
EBEE-Teilenummer
E8906528
Gehäuse
DIP-26
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
DIP-26 IGBT Transistors / Modules ROHS
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
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Kann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
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TypBeschreibung
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KategorieDiscrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules
Datenblattonsemi NXH25C120L2C2SG
RoHS
Temperatur-40℃~+150℃
Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben)1.2kV
Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic)[email protected]
Current - Collector(Ic)25A
Vce Saturation(VCE(sat))2.4V@25A,15V
Td(off)235ns
Td(on)68ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)117pF
Switching Energy(Eoff)720uJ
Turn-On Energy (Eon)2.2mJ
Input Capacitance(Cies)6.2nF
Pulsed Current- Forward(Ifm)370A

Einkaufsleitfaden

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