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Infineon Technologies FF200R12KS4
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FF200R12KS4 |
| EBEE-Teilenummer | E8540999 |
| Gehäuse | Screw Terminals |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| Datenblatt | Infineon FF200R12KS4 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+125℃ | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 1.2kV | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | 4.5V@8mA | |
| Current - Collector(Ic) | 275A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4kW | |
| IGBT Type | IGBT Module | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 3.85V@200A,15V | |
| Td(off) | 530ns | |
| Td(on) | 100ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 0.85nF | |
| Switching Energy(Eoff) | 12mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 19mJ | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 400A |
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