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Infineon Technologies F3L25R12W1T4B27
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | F3L25R12W1T4B27 |
| EBEE-Teilenummer | E83190223 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 215W 45A 1.2kV IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 1.2kV | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | 2.25V@15V,25A | |
| Current - Collector(Ic) | 45A | |
| Pd - Power Dissipation | 215W | |
| IGBT Type | - | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.45nF@25V |
Einkaufsleitfaden
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