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HARRIS IRFD321
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRFD321 |
| EBEE-Teilenummer | E83288353 |
| Gehäuse | DIP-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 350V 500mA 1.8Ω@10V,250mA 1W 4V@250uA 1 N-channel DIP-4 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.7849 | $ 3.7849 |
| 200+ | $1.4657 | $ 293.1400 |
| 500+ | $1.4143 | $ 707.1500 |
| 1000+ | $1.3877 | $ 1387.7000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | HARRIS IRFD321 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 350V | |
| Dauerdr. | 500mA | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 1.8Ω@10V,250mA | |
| Stromableitung (Pd) | 1W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 455pF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 15nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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|---|---|---|
| 1+ | $3.7849 | $ 3.7849 |
| 200+ | $1.4657 | $ 293.1400 |
| 500+ | $1.4143 | $ 707.1500 |
| 1000+ | $1.3877 | $ 1387.7000 |
