Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
HARRIS IRF133
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRF133 |
| EBEE-Teilenummer | E83291256 |
| Gehäuse | TO-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 80V 12A 79W 0.23Ω@10V,12A 4V@250uA 1 N-channel TO-3 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8642 | $ 0.8642 |
| 200+ | $0.3355 | $ 67.1000 |
| 500+ | $0.3230 | $ 161.5000 |
| 1000+ | $0.3176 | $ 317.6000 |
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | HARRIS IRF133 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 80V | |
| Dauerdr. | 12A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.23Ω@10V,12A | |
| Stromableitung (Pd) | 79W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 100pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 600pF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 26nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8642 | $ 0.8642 |
| 200+ | $0.3355 | $ 67.1000 |
| 500+ | $0.3230 | $ 161.5000 |
| 1000+ | $0.3176 | $ 317.6000 |
