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GOODWORK IRF640
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRF640 |
| EBEE-Teilenummer | E817702911 |
| Gehäuse | TO-220-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 18A 0.125Ω@10V,11A 2W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | GOODWORK IRF640 | |
| RoHS | ||
| Typ | - | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 180mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 400pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
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