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GOODWORK 7N65
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 7N65 |
| EBEE-Teilenummer | E85807883 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 7A 1.18Ω@10V,3.5A 48W 2V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 5+ | $0.2214 | $ 1.1070 |
| 50+ | $0.1736 | $ 8.6800 |
| 150+ | $0.1531 | $ 22.9650 |
| 500+ | $0.1275 | $ 63.7500 |
| 2500+ | $0.1132 | $ 283.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | GOODWORK 7N65 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 1.18Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 21pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 48W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.4nF | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.1736 | $ 8.6800 |
| 150+ | $0.1531 | $ 22.9650 |
| 500+ | $0.1275 | $ 63.7500 |
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