Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
GOODWORK 600R65F
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 600R65F |
| EBEE-Teilenummer | E85807884 |
| Gehäuse | ITO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 4.4A 0.6Ω@10V,3.5A 32W 3V@250uA 1 N-channel ITO-220AB MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>61 Auf Lager für schnelle Lieferung
61 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6624 | $ 0.6624 |
| 10+ | $0.5324 | $ 5.3240 |
| 50+ | $0.4681 | $ 23.4050 |
| 100+ | $0.4054 | $ 40.5400 |
| 500+ | $0.3672 | $ 183.6000 |
| 1000+ | $0.3473 | $ 347.3000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | GOODWORK 600R65F | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 600mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 17pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 32W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 557pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
61 Stock for Shipping Fast
61 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6624 | $ 0.6624 |
| 10+ | $0.5324 | $ 5.3240 |
| 50+ | $0.4681 | $ 23.4050 |
| 100+ | $0.4054 | $ 40.5400 |
| 500+ | $0.3672 | $ 183.6000 |
| 1000+ | $0.3473 | $ 347.3000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
