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GOODWORK 30N06
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 30N06 |
| EBEE-Teilenummer | E85807887 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 30A 23mΩ@10V,10A 41.7W 1.2V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.0650 | $ 3.2500 |
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| 500+ | $0.0500 | $ 25.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | GOODWORK 30N06 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 23mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 49pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 41.7W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.355nF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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