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GOODWORK 20N65F
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 20N65F |
| EBEE-Teilenummer | E85807888 |
| Gehäuse | ITO-220F |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 20A 0.35Ω@10V,10A 167W 2V@250uA 1 N-channel ITO-220F MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.4639 | $ 4.6390 |
| 50+ | $0.3922 | $ 19.6100 |
| 100+ | $0.3350 | $ 33.5000 |
| 500+ | $0.3018 | $ 150.9000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | GOODWORK 20N65F | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 350mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 40pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 167W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.978nF | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC@10V |
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