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GOODWORK 18N65F
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 18N65F |
| EBEE-Teilenummer | E86068473 |
| Gehäuse | ITO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 18A 260W 0.41Ω@10V,9A 3V@250uA 1 N-channel ITO-220AB MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5690 | $ 0.5690 |
| 10+ | $0.5551 | $ 5.5510 |
| 50+ | $0.5473 | $ 27.3650 |
| 100+ | $0.5380 | $ 53.8000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | GOODWORK 18N65F | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 410mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 110pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 260W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.35nF | |
| Gate Charge(Qg) | 128nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.5473 | $ 27.3650 |
| 100+ | $0.5380 | $ 53.8000 |
