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GOODWORK 10N65F
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 10N65F |
| EBEE-Teilenummer | E82922157 |
| Gehäuse | ITO-220AB-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 10A 810mΩ@10V,5A 125W 4V@250uA 1 N-channel ITO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3787 | $ 1.8935 |
| 50+ | $0.2815 | $ 14.0750 |
| 150+ | $0.2516 | $ 37.7400 |
| 500+ | $0.2129 | $ 106.4500 |
| 2000+ | $0.1958 | $ 391.6000 |
| 5000+ | $0.1844 | $ 922.0000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | GOODWORK 10N65F | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 1.2Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 24pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.04nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 215pF | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3787 | $ 1.8935 |
| 50+ | $0.2815 | $ 14.0750 |
| 150+ | $0.2516 | $ 37.7400 |
| 500+ | $0.2129 | $ 106.4500 |
| 2000+ | $0.1958 | $ 391.6000 |
| 5000+ | $0.1844 | $ 922.0000 |
