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GOODWORK 10N65
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 10N65 |
| EBEE-Teilenummer | E822470953 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 10A 0.95Ω@10V,5A 65W 2V@250uA TO-220AB MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4348 | $ 0.4348 |
| 10+ | $0.3423 | $ 3.4230 |
| 50+ | $0.3022 | $ 15.1100 |
| 100+ | $0.2513 | $ 25.1300 |
| 500+ | $0.2298 | $ 114.9000 |
| 1000+ | $0.2159 | $ 215.9000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | GOODWORK 10N65 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 950mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 18pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 65W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 194pF | |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.3022 | $ 15.1100 |
| 100+ | $0.2513 | $ 25.1300 |
| 500+ | $0.2298 | $ 114.9000 |
| 1000+ | $0.2159 | $ 215.9000 |
