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EIC Semicon SI2301
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2301 |
| EBEE-Teilenummer | E83015352 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 3.2A 100mΩ@4.5V 900mW 450mV@250uA SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 100+ | $0.0353 | $ 3.5300 |
| 300+ | $0.0309 | $ 9.2700 |
| 3000+ | $0.0276 | $ 82.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | EIC SI2301 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 150mΩ@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 65pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 700mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 950mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 375pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 95pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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