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DOINGTER DOU10N06
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOU10N06 |
| EBEE-Teilenummer | E842412133 |
| Gehäuse | TO-251 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-251 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 15+ | $0.0623 | $ 0.9345 |
| 150+ | $0.0492 | $ 7.3800 |
| 450+ | $0.0427 | $ 19.2150 |
| 1500+ | $0.0378 | $ 56.7000 |
| 7500+ | $0.0339 | $ 254.2500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOU10N06 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 60mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 725pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9.3nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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