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DOINGTER DOP12P10
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOP12P10 |
| EBEE-Teilenummer | E841384273 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 12A 200mΩ@10V,12A 40W 1V@250uA 1 Piece P-Channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2302 | $ 1.1510 |
| 50+ | $0.1807 | $ 9.0350 |
| 150+ | $0.1596 | $ 23.9400 |
| 500+ | $0.1331 | $ 66.5500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOP12P10 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 200mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 170pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 760pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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