Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
DOINGTER DOD9N20
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD9N20 |
| EBEE-Teilenummer | E842395890 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-252 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>2375 Auf Lager für schnelle Lieferung
2375 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1179 | $ 0.5895 |
| 50+ | $0.1029 | $ 5.1450 |
| 150+ | $0.0965 | $ 14.4750 |
| 500+ | $0.0886 | $ 44.3000 |
| 2500+ | $0.0850 | $ 212.5000 |
| 5000+ | $0.0829 | $ 414.5000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD9N20 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 300mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 24pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 82W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
2375 Stock for Shipping Fast
2375 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1179 | $ 0.5895 |
| 50+ | $0.1029 | $ 5.1450 |
| 150+ | $0.0965 | $ 14.4750 |
| 500+ | $0.0886 | $ 44.3000 |
| 2500+ | $0.0850 | $ 212.5000 |
| 5000+ | $0.0829 | $ 414.5000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
