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DOINGTER DOD75P06
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD75P06 |
| EBEE-Teilenummer | E842412120 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-252 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3033 | $ 0.3033 |
| 10+ | $0.2382 | $ 2.3820 |
| 30+ | $0.2103 | $ 6.3090 |
| 100+ | $0.1754 | $ 17.5400 |
| 500+ | $0.1599 | $ 79.9500 |
| 1000+ | $0.1506 | $ 150.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD75P06 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 12mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 209pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 107W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Ciss-Input Capacitance | 8.699nF | |
| Gate Charge(Qg) | 139nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $0.2103 | $ 6.3090 |
| 100+ | $0.1754 | $ 17.5400 |
| 500+ | $0.1599 | $ 79.9500 |
| 1000+ | $0.1506 | $ 150.6000 |
