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DOINGTER DOD639B


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
DOD639B
EBEE-Teilenummer
E842412129
Gehäuse
TO-252-4
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
-
Beschreibung
TO-252-4 MOSFETs ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
5+$0.2581$ 1.2905
50+$0.2026$ 10.1300
150+$0.1789$ 26.8350
500+$0.1493$ 74.6500
2500+$0.1361$ 340.2500
5000+$0.1282$ 641.0000
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TypBeschreibung
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KategorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
DatenblattDOINGTER DOD639B
RoHS
TypN-Channel + P-Channel
Konfiguration-
RDS(on)4.2mΩ@10V;10.2mΩ@10V
Betriebstemperatur --55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds)148pF;225pF
Number1 N-Channel + 1 P-Channel
Pd - Power Dissipation55W
Drain to Source Voltage40V;40V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.6V;2.5V
Current - Continuous Drain(Id)60A;38A
Ciss-Input Capacitance2.38nF;3.119nF
Output Capacitance(Coss)230pF;237pF
Gate Charge(Qg)[email protected];41nC@10V

Einkaufsleitfaden

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