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DOINGTER DOD629C
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD629C |
| EBEE-Teilenummer | E842412127 |
| Gehäuse | TO-252-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-252-4 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD629C | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel + P-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 10mΩ@10V;14mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 131pF;135pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W;45W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V;1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 28A;35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.396nF;1.43nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 210pF;150pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25.2nC@10V;[email protected] |
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