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DOINGTER DOD619B
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD619B |
| EBEE-Teilenummer | E842412128 |
| Gehäuse | TO-252-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-252-4 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD619B | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel + P-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 14mΩ@10V;20mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 67.5pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V;2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Ciss-Input Capacitance | 979pF | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC@8V;[email protected] |
Einkaufsleitfaden
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