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DOINGTER DOD60P03
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD60P03 |
| EBEE-Teilenummer | E842395894 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-252 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD60P03 | |
| RoHS | ||
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 7.5mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 342pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.15nF | |
| Gate Charge(Qg) | 84nC |
Einkaufsleitfaden
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