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DOINGTER DOD60N03
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD60N03 |
| EBEE-Teilenummer | E841416021 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 60A 33W 8.5mΩ@10V,25A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD60N03 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 14mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 145pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 33W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.12nF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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