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DOINGTER DOD607F
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD607F |
| EBEE-Teilenummer | E841416019 |
| Gehäuse | TO-252-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 25A 30W 13mΩ@10V,10A 2.5V@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel TO-252-4 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 5+ | $0.1145 | $ 0.5725 |
| 50+ | $0.0912 | $ 4.5600 |
| 150+ | $0.0795 | $ 11.9250 |
| 500+ | $0.0708 | $ 35.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD607F | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel + P-Channel | |
| RDS(on) | 13mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 95pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 30W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Ciss-Input Capacitance | 660pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 105pF | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.0912 | $ 4.5600 |
| 150+ | $0.0795 | $ 11.9250 |
| 500+ | $0.0708 | $ 35.4000 |
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